0 0 0
  8. IPA80R1K4P7XKSA1

Транзисторы с каналом N THT IPA80R1K4P7XKSA1

 
IPA80R1K4P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401949
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 8,9А; 24Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.73 грн
3+
62.15 грн
10+
54.18 грн
21+
48.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
2,7А(1492297)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
24Вт(1614699)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
8,9А(1810487)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPA80R1K4P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401949
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 8,9А; 24Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.73 грн
3+
62.15 грн
10+
54.18 грн
21+
48.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
2,7А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
24Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
8,9А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g