0 0 0
  8. IPA95R750P7XKSA1

Транзисторы с каналом N THT IPA95R750P7XKSA1

 
IPA95R750P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078287
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 28Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
120.28 грн
3+
107.54 грн
10+
95.59 грн
13+
82.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
950В(1628409)
Ток стока
5,5А(1492307)
Сопротивление в открытом состоянии
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
28Вт(1520807)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
23нC(1479059)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPA95R750P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078287
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 28Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
120.28 грн
3+
107.54 грн
10+
95.59 грн
13+
82.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
950В
Ток стока
5,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
28Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
23нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g