Транзисторы с каналом N SMD IPB015N04NGATMA1

 
IPB015N04NGATMA1
 
Артикул: 076153
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
186.83 грн
5+
165.90 грн
7+
153.49 грн
18+
144.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
1,5мОм(1479615)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB015N04NGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076153
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
186.83 грн
5+
165.90 грн
7+
153.49 грн
18+
144.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
1,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g