0 0 0
  8. IPB019N06L3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB019N06L3GATMA1

 
IPB019N06L3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076160
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
148.07 грн
5+
137.99 грн
8+
131.01 грн
21+
124.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1017 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
1,9мОм(1479467)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,706 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB019N06L3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076160
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
148.07 грн
5+
137.99 грн
8+
131.01 грн
21+
124.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1017 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
1,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,706 g