0 0 0
  8. IPB025N10N3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB025N10N3GATMA1

 
IPB025N10N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076169
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
384.85 грн
3+
346.29 грн
4+
266.01 грн
11+
251.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 883 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-7(1599141)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
180А(1441541)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5мОм(1479571)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,786 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB025N10N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076169
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
384.85 грн
3+
346.29 грн
4+
266.01 грн
11+
251.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 883 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-7
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
180А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,786 g