0 0 0
  8. IPB026N06NATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB026N06NATMA1

 
IPB026N06NATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076170
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
156.59 грн
5+
139.54 грн
9+
120.93 грн
23+
113.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
2,6мОм(1479581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
136Вт(1740748)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™(1596284)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,74 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB026N06NATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076170
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
156.59 грн
5+
139.54 грн
9+
120.93 грн
23+
113.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
2,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
136Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,74 g