0 0 0
  8. IPB029N06N3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB029N06N3GATMA1

 
IPB029N06N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076173
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
97.68 грн
5+
83.72 грн
17+
58.92 грн
46+
55.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
2,9мОм(1599143)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
188Вт(1740799)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB029N06N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076173
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
97.68 грн
5+
83.72 грн
17+
58.92 грн
46+
55.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
2,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
188Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g