0 0 0
  8. IPB031N08N5ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB031N08N5ATMA1

 
IPB031N08N5ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076175
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
295.36 грн
5+
203.11 грн
14+
192.25 грн
500+
189.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
3,1мОм(1479542)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
167Вт(1740791)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB031N08N5ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076175
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
295.36 грн
5+
203.11 грн
14+
192.25 грн
500+
189.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
3,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
167Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 5
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g