0 0 0
  8. IPB036N12N3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB036N12N3GATMA1

 
IPB036N12N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076181
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
438.00 грн
4+
262.02 грн
11+
248.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
120В(1520458)
Ток стока
180А(1441541)
Сопротивление в открытом состоянии
3,6мОм(1479264)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,45 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB036N12N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076181
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
438.00 грн
4+
262.02 грн
11+
248.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
120В
Ток стока
180А
Сопротивление в открытом состоянии
3,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,45 g