0 0 0
  8. IPB038N12N3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB038N12N3GATMA1

 
IPB038N12N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169056
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
366.28 грн
3+
317.02 грн
5+
220.88 грн
13+
208.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
120В(1520458)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
3,8мОм(1479538)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™(1596284)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,06 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB038N12N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169056
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
366.28 грн
3+
317.02 грн
5+
220.88 грн
13+
208.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
120В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
3,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,06 g