0 0 0
  8. IPB042N10N3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB042N10N3GATMA1

 
IPB042N10N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169075
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
137.45 грн
5+
120.77 грн
9+
113.62 грн
24+
107.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
4,2мОм(1479514)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
214Вт(1741760)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,706 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB042N10N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169075
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
137.45 грн
5+
120.77 грн
9+
113.62 грн
24+
107.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
4,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
214Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,706 g