0 0 0
  8. IPB054N06N3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB054N06N3GATMA1

 
IPB054N06N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076190
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
95.35 грн
5+
85.27 грн
14+
73.65 грн
37+
69.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
5,4мОм(1599146)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
115Вт(1702082)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,657 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB054N06N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076190
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
95.35 грн
5+
85.27 грн
14+
73.65 грн
37+
69.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
5,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
115Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,657 g