Транзисторы с каналом N SMD IPB055N03LGATMA1

 
IPB055N03LGATMA1
 
Артикул: 1169077
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
63.56 грн
3+
56.41 грн
10+
50.77 грн
21+
49.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
50А(1441504)
Сопротивление в открытом состоянии
5,5мОм(1441296)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
68Вт(1708591)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,698 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB055N03LGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169077
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
63.56 грн
3+
56.41 грн
10+
50.77 грн
21+
49.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
50А
Сопротивление в открытом состоянии
5,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
68Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,698 g