0 0 0
  8. IPB072N15N3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB072N15N3GATMA1

 
IPB072N15N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076196
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
349.62 грн
5+
231.79 грн
12+
219.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
7,2мОм(1479269)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB072N15N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076196
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
349.62 грн
5+
231.79 грн
12+
219.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
7,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g