0 0 0
  8. IPB081N06L3G

Транзисторы с каналом N SMD IPB081N06L3G

 
IPB081N06L3G
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076199
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.30 грн
5+
68.99 грн
17+
59.69 грн
45+
56.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
50А(1441504)
Сопротивление в открытом состоянии
8,1мОм(1596080)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
79Вт(1740747)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,561 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB081N06L3G
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076199
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.30 грн
5+
68.99 грн
17+
59.69 грн
45+
56.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
50А
Сопротивление в открытом состоянии
8,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
79Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,561 g