0 0 0
  8. IPB083N10N3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB083N10N3GATMA1

 
IPB083N10N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076200
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.08 грн
5+
96.90 грн
12+
83.72 грн
32+
79.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
8,3мОм(1599593)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,67 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB083N10N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076200
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.08 грн
5+
96.90 грн
12+
83.72 грн
32+
79.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
8,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,67 g