0 0 0
  8. IPB100N04S303ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB100N04S303ATMA1

 
IPB100N04S303ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076203
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
138.52 грн
5+
124.35 грн
11+
97.59 грн
28+
92.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5мОм(1479571)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
214Вт(1741760)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
110нC(1479315)
Технология
OptiMOS™ T(1714104)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB100N04S303ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076203
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
138.52 грн
5+
124.35 грн
11+
97.59 грн
28+
92.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
214Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
110нC
Технология
OptiMOS™ T
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g