0 0 0
  8. IPB180N04S4H0ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB180N04S4H0ATMA1

 
IPB180N04S4H0ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168986
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
152.24 грн
5+
137.17 грн
10+
106.25 грн
26+
100.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-7(1599141)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
180А(1441541)
Сопротивление в открытом состоянии
1,1мОм(1596100)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
173нC(1714106)
Технология
OptiMOS™ T2(1714105)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB180N04S4H0ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168986
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
152.24 грн
5+
137.17 грн
10+
106.25 грн
26+
100.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-7
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
180А
Сопротивление в открытом состоянии
1,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
173нC
Технология
OptiMOS™ T2
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g