0 0 0
  8. IPB200N25N3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB200N25N3GATMA1

 
IPB200N25N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076215
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
836.22 грн
2+
500.81 грн
6+
472.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
250В(1441306)
Ток стока
64А(1479412)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,06 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB200N25N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076215
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
836.22 грн
2+
500.81 грн
6+
472.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
250В
Ток стока
64А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 3,06 g