Транзисторы с каналом N SMD IPB60R060P7ATMA1

 
IPB60R060P7ATMA1
 
Артикул: 1168987
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
420.89 грн
4+
291.51 грн
10+
275.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
60мОм(1441262)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
164Вт(1741966)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Заряд затвора
67нC(1643344)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB60R060P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168987
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
420.89 грн
4+
291.51 грн
10+
275.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
60мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
164Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Заряд затвора
67нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g