0 0 0
  8. IPB60R080P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB60R080P7ATMA1

 
IPB60R080P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076225
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
323.13 грн
5+
223.17 грн
12+
211.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
23А(1479277)
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
129Вт(1740784)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Заряд затвора
51нC(1610021)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB60R080P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076225
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
323.13 грн
5+
223.17 грн
12+
211.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
23А
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
129Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Заряд затвора
51нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g