0 0 0
  8. IPB80N04S2H4ATMA2

Транзисторы с каналом N SMD IPB80N04S2H4ATMA2

 
IPB80N04S2H4ATMA2
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076266
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
267.41 грн
5+
204.80 грн
14+
193.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
3,7мОм(1479557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
103нC(1512596)
Технология
OptiMOS™(1596284)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,713 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB80N04S2H4ATMA2
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076266
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
267.41 грн
5+
204.80 грн
14+
193.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
3,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
103нC
Технология
OptiMOS™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,713 g