0 0 0
  8. IPB80P04P4L04ATMA1

Транзисторы с каналом P SMD IPB80P04P4L04ATMA1

 
IPB80P04P4L04ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1170347
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -80А; 125Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
203.44 грн
5+
179.60 грн
6+
170.07 грн
17+
160.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-80А(1600731)
Сопротивление в открытом состоянии
4,4мОм(1479260)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
135нC(1632961)
Технология
OptiMOS™ P2(1600712)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,716 g
 
Транзисторы с каналом P SMD IPB80P04P4L04ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1170347
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -80А; 125Вт; PG-TO263-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
203.44 грн
5+
179.60 грн
6+
170.07 грн
17+
160.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-80А
Сопротивление в открытом состоянии
4,4мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
135нC
Технология
OptiMOS™ P2
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,716 g