0 0 0
  8. IPD12CN10NGATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD12CN10NGATMA1

 
IPD12CN10NGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076300
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
107.68 грн
5+
97.39 грн
14+
76.80 грн
37+
72.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2161 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
67А(1479415)
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм(1599742)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 2(1596132)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,388 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD12CN10NGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076300
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
107.68 грн
5+
97.39 грн
14+
76.80 грн
37+
72.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2161 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
67А
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 2
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,388 g