0 0 0
  8. IPD200N15N3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD200N15N3GATMA1

 
IPD200N15N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401860
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 40А; Idm: 200А; 150Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
180.19 грн
5+
161.94 грн
9+
124.63 грн
23+
117.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD200N15N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401860
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 40А; Idm: 200А; 150Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
180.19 грн
5+
161.94 грн
9+
124.63 грн
23+
117.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g