0 0 0
  8. IPD30N08S222ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD30N08S222ATMA1

 
IPD30N08S222ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168993
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.74 грн
5+
59.59 грн
22+
45.69 грн
60+
43.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
21,5мОм(1714109)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
136Вт(1740748)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
44нC(1479001)
Технология
OptiMOS™(1596284)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD30N08S222ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168993
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.74 грн
5+
59.59 грн
22+
45.69 грн
60+
43.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
21,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
136Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
44нC
Технология
OptiMOS™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g