0 0 0
  8. IPD50N06S4L12ATMA2

Транзисторы с каналом N SMD IPD50N06S4L12ATMA2

 
IPD50N06S4L12ATMA2
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076308
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
92.16 грн
5+
61.97 грн
20+
49.74 грн
55+
47.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2179 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
36А(1479316)
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм(1441505)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Технология
OptiMOS™ T2(1714105)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,448 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD50N06S4L12ATMA2
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076308
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
92.16 грн
5+
61.97 грн
20+
49.74 грн
55+
47.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2179 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
36А
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
30нC
Технология
OptiMOS™ T2
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,448 g