0 0 0
  8. IPD60R280P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD60R280P7ATMA1

 
IPD60R280P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076324
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
93.51 грн
5+
82.69 грн
25+
77.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2444 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
53Вт(1740746)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,395 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD60R280P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076324
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
93.51 грн
5+
82.69 грн
25+
77.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2444 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
53Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
18нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,395 g