0 0 0
  8. IPD60R600P7SAUMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD60R600P7SAUMA1

 
IPD60R600P7SAUMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 600777
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
43.83 грн
5+
35.38 грн
25+
31.08 грн
37+
26.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2396 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
9нC(1609896)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,388 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD60R600P7SAUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 600777
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
43.83 грн
5+
35.38 грн
25+
31.08 грн
37+
26.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2396 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
9нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,388 g