0 0 0
  8. IPD65R1K4CFDBTMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD65R1K4CFDBTMA1

 
IPD65R1K4CFDBTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076333
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.12 грн
3+
52.95 грн
10+
42.55 грн
28+
36.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
2,8А(1602409)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
28,4Вт(1741849)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
CoolMOS™(1601653)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,45 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD65R1K4CFDBTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076333
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.12 грн
3+
52.95 грн
10+
42.55 грн
28+
36.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
2,8А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
28,4Вт
Полярность
полевой
Технология
CoolMOS™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,45 g