0 0 0
  8. IPD80R1K2P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD80R1K2P7ATMA1

 
IPD80R1K2P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076360
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.83 грн
5+
55.25 грн
20+
51.39 грн
25+
50.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
3,1А(1441251)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
37Вт(1740770)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,38 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD80R1K2P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076360
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.83 грн
5+
55.25 грн
20+
51.39 грн
25+
50.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
3,1А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
37Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
11нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,38 g