0 0 0
  8. IPD80R1K4P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD80R1K4P7ATMA1

 
IPD80R1K4P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076362
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
100.81 грн
5+
86.52 грн
17+
60.33 грн
47+
57.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
2,7А(1492297)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
32Вт(1614700)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
CoolMOS™(1601653)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,417 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD80R1K4P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076362
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
100.81 грн
5+
86.52 грн
17+
60.33 грн
47+
57.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
2,7А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
32Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
CoolMOS™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,417 g