0 0 0
  8. IPD80R2K0P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD80R2K0P7ATMA1

 
IPD80R2K0P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076364
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.89 грн
5+
53.38 грн
25+
40.39 грн
67+
38.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2012 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
1,9А(1479102)
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
24Вт(1614699)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
9нC(1609896)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,379 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD80R2K0P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076364
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.89 грн
5+
53.38 грн
25+
40.39 грн
67+
38.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2012 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
1,9А
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
24Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
9нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,379 g