0 0 0
  8. IPD80R360P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD80R360P7ATMA1

 
IPD80R360P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076367
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
210.13 грн
5+
187.31 грн
7+
162.13 грн
17+
153.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
8,6А(1441570)
Сопротивление в открытом состоянии
0,36Ом(1638677)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
84Вт(1741978)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,474 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD80R360P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076367
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
210.13 грн
5+
187.31 грн
7+
162.13 грн
17+
153.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
8,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,36Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
84Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
30нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,474 g