0 0 0
  8. IPD80R3K3P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD80R3K3P7ATMA1

 
IPD80R3K3P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168991
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.08 грн
5+
45.99 грн
25+
40.28 грн
28+
34.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
1,3А(1492332)
Сопротивление в открытом состоянии
3,3Ом(1604780)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
18Вт(1449533)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
6нC(1479087)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD80R3K3P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168991
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.08 грн
5+
45.99 грн
25+
40.28 грн
28+
34.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
1,3А
Сопротивление в открытом состоянии
3,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
18Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
6нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g