0 0 0
  8. IPD90N04S405ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD90N04S405ATMA1

 
IPD90N04S405ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076377
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
81.06 грн
5+
72.41 грн
18+
55.88 грн
50+
52.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3-313(1622487)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
61А(1479406)
Сопротивление в открытом состоянии
5,2мОм(1599111)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
65Вт(1507555)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Технология
OptiMOS™ T2(1714105)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
344А(1751903)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,375 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD90N04S405ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076377
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
81.06 грн
5+
72.41 грн
18+
55.88 грн
50+
52.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3-313
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
61А
Сопротивление в открытом состоянии
5,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
65Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Заряд затвора
18нC
Технология
OptiMOS™ T2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
344А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,375 g