0 0 0
  8. IPD95R1K2P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD95R1K2P7ATMA1

 
IPD95R1K2P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076380
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.44 грн
5+
60.93 грн
21+
47.76 грн
56+
45.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
950В(1628409)
Ток стока
3,7А(1441259)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
52Вт(1507407)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD95R1K2P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076380
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.44 грн
5+
60.93 грн
21+
47.76 грн
56+
45.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
950В
Ток стока
3,7А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
52Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
15нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g