0 0 0
  8. IPD95R2K0P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD95R2K0P7ATMA1

 
IPD95R2K0P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076381
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 37Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.69 грн
5+
53.80 грн
24+
41.17 грн
65+
38.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
950В(1628409)
Ток стока
2,4А(1441489)
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
37Вт(1740770)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD95R2K0P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076381
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 37Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.69 грн
5+
53.80 грн
24+
41.17 грн
65+
38.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
950В
Ток стока
2,4А
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
37Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
10нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g