0 0 0
  8. IPD95R450P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD95R450P7ATMA1

 
IPD95R450P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076382
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
179.08 грн
5+
159.70 грн
8+
124.81 грн
22+
117.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1738 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
950В(1628409)
Ток стока
8,6А(1441570)
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
104Вт(1520829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
35нC(1479287)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,396 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD95R450P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076382
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
179.08 грн
5+
159.70 грн
8+
124.81 грн
22+
117.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1738 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
950В
Ток стока
8,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
104Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
35нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,396 g