0 0 0
  8. IPD95R750P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD95R750P7ATMA1

 
IPD95R750P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076383
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 73Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
106.98 грн
5+
95.35 грн
14+
72.87 грн
37+
68.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
950В(1628409)
Ток стока
5,5А(1492307)
Сопротивление в открытом состоянии
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
73Вт(1598008)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
23нC(1479059)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD95R750P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076383
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 73Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
106.98 грн
5+
95.35 грн
14+
72.87 грн
37+
68.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
950В
Ток стока
5,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
73Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
23нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g