0 0 0
  8. IPDD60R102G7XTMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPDD60R102G7XTMA1

 
IPDD60R102G7XTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076386
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
331.73 грн
5+
228.40 грн
12+
215.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HDSOP-10-1(1740742)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
23А(1479277)
Сопротивление в открытом состоянии
0,102Ом(1790182)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
139Вт(1741802)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
34нC(1479140)
Технология
CoolMOS™ G7(1742458)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
66А(1742462)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPDD60R102G7XTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076386
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
331.73 грн
5+
228.40 грн
12+
215.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HDSOP-10-1
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
23А
Сопротивление в открытом состоянии
0,102Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
139Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
34нC
Технология
CoolMOS™ G7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
66А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g