0 0 0
  8. IPDD60R125G7XTMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPDD60R125G7XTMA1

 
IPDD60R125G7XTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076387
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
351.01 грн
5+
247.91 грн
12+
234.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 48 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HDSOP-10-1(1740742)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
120Вт(1666572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
27нC(1479063)
Технология
CoolMOS™ G7(1742458)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
54А(1742463)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,891 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPDD60R125G7XTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076387
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
351.01 грн
5+
247.91 грн
12+
234.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 48 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HDSOP-10-1
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
120Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
27нC
Технология
CoolMOS™ G7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
54А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,891 g