0 0 0
  8. IPDD60R150G7XTMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPDD60R150G7XTMA1

 
IPDD60R150G7XTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076388
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
268.15 грн
7+
149.92 грн
19+
141.42 грн
1700+
136.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HDSOP-10-1(1740742)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
95Вт(1598004)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
23нC(1479059)
Технология
CoolMOS™ G7(1742458)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
45А(1742464)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPDD60R150G7XTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076388
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
268.15 грн
7+
149.92 грн
19+
141.42 грн
1700+
136.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HDSOP-10-1
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
95Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
23нC
Технология
CoolMOS™ G7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
45А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g