0 0 0
  8. IPDD60R190G7XTMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPDD60R190G7XTMA1

 
IPDD60R190G7XTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076389
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
201.69 грн
9+
112.82 грн
24+
106.64 грн
1000+
102.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HDSOP-10-1(1740742)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
13А(1441372)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
76Вт(1520826)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Технология
CoolMOS™ G7(1742458)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
36А(1742465)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPDD60R190G7XTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076389
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
201.69 грн
9+
112.82 грн
24+
106.64 грн
1000+
102.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HDSOP-10-1
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
13А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
76Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
18нC
Технология
CoolMOS™ G7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
36А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g