Транзисторы с каналом N THT IPI029N06NAKSA1

 
IPI029N06NAKSA1
 
Артикул: 078300
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO262-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
136.66 грн
3+
116.80 грн
10+
94.55 грн
13+
81.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO262-3(1599743)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
2,9мОм(1599143)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
136Вт(1740748)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™(1596284)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPI029N06NAKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078300
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO262-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
136.66 грн
3+
116.80 грн
10+
94.55 грн
13+
81.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO262-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
2,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
136Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g