0 0 0
  8. IPI111N15N3GAKSA1

Транзисторы с каналом N THT IPI111N15N3GAKSA1

 
IPI111N15N3GAKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078312
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO262-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
264.31 грн
3+
228.76 грн
7+
159.98 грн
17+
151.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO262-3(1599743)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
83А(1479452)
Сопротивление в открытом состоянии
11,1мОм(1599925)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
214Вт(1741760)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,42 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPI111N15N3GAKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078312
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO262-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
264.31 грн
3+
228.76 грн
7+
159.98 грн
17+
151.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO262-3
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
83А
Сопротивление в открытом состоянии
11,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
214Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,42 g