0 0 0
  8. IPI80N06S407AKSA2

Транзисторы с каналом N THT IPI80N06S407AKSA2

 
IPI80N06S407AKSA2
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 710893
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 58А; Idm: 320А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
158.98 грн
3+
143.80 грн
9+
120.63 грн
23+
114.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 418 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO262-3(1599743)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
58А(1441359)
Сопротивление в открытом состоянии
7,4мОм(1758581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
79Вт(1740747)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
27нC(1479063)
Технология
OptiMOS® -T2(1810691)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
320А(1741662)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,56 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPI80N06S407AKSA2
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 710893
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 58А; Idm: 320А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
158.98 грн
3+
143.80 грн
9+
120.63 грн
23+
114.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 418 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO262-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
58А
Сопротивление в открытом состоянии
7,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
79Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
27нC
Технология
OptiMOS® -T2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
320А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,56 g