0 0 0
  8. IPL60R125P7AUMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPL60R125P7AUMA1

 
IPL60R125P7AUMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076395
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 17А; 111Вт; PG-VSON-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
256.57 грн
5+
231.38 грн
6+
177.87 грн
16+
167.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-VSON-4(1602414)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
17А(1441577)
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
111Вт(1741977)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
36нC(1479151)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPL60R125P7AUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076395
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 17А; 111Вт; PG-VSON-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
256.57 грн
5+
231.38 грн
6+
177.87 грн
16+
167.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-VSON-4
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
17А
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
111Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
36нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g