0 0 0
  8. IPN80R1K4P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPN80R1K4P7ATMA1

 
IPN80R1K4P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076436
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.61 грн
5+
60.28 грн
19+
53.33 грн
51+
50.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-SOT223(1600703)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
2,7А(1492297)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
7Вт(1607953)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPN80R1K4P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076436
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.61 грн
5+
60.28 грн
19+
53.33 грн
51+
50.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-SOT223
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
2,7А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
10нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g