0 0 0
  8. IPN95R3K7P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPN95R3K7P7ATMA1

 
IPN95R3K7P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076446
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.50 грн
5+
39.72 грн
25+
34.54 грн
33+
29.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-SOT223(1600703)
Напряжение сток-исток
950В(1628409)
Ток стока
1,4А(1492328)
Сопротивление в открытом состоянии
3,7Ом(1441600)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
6Вт(1520961)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
6нC(1479087)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPN95R3K7P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076446
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.50 грн
5+
39.72 грн
25+
34.54 грн
33+
29.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-SOT223
Напряжение сток-исток
950В
Ток стока
1,4А
Сопротивление в открытом состоянии
3,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
6нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g